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IRLL014TR	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLL014TRA	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLL014TRPBFA	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLL014TRPBF	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLL014TRPBF	文件：1.05605 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLL014TRPBFA	文件：170.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLL014TRPBF-BE3AB	文件：170.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR014	文件：180.89 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR014	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR014	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR014	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRLR014,SiHLR014) ?Straightlead(IRLU014,SiHLU014) ?Availableintapeandreel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR014A	文件：373.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLR014N	文件：110.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014NPBF	文件：281.42 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=0.14廓,ID=10A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014NPBF	文件：293.41 Kbytes Page：10 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014NTRPBF	文件：293.41 Kbytes Page：10 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014PBF	文件：1.12217 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014PBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLR014PBF	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRLL014TR
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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