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IRLI640G

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●

IRF

International Rectifier

IRLI640G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI640G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI640G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI640G_17

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI640G_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI640GPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI640GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI640GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLS640A

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=200V RDS(on)=0.18Ω ID=9.8A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRLS640A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLW640A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLWI640A

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

JCS640

N-CHANNELMOSFET

ID18.0A VDSS200V Rdson（@Vgs=10V）0.18Ω Qg47nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical48pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballa

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS640CH-O-C-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS640C-O-C-N-B

N-CHANNELMOSFET

ID18.0A VDSS200V Rdson（@Vgs=10V）0.18Ω Qg47nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical48pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballa

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS640FH-O-F-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS640F-O-F-N-B

N-CHANNELMOSFET

ID18.0A VDSS200V Rdson（@Vgs=10V）0.18Ω Qg47nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical48pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballa

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS640H

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS640RH-O-R-N-A

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IRLI640G

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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TO 220F
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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6200
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7600
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更多IRLI640G供應商 更新時間2025-1-6 17:10:00

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