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IRLML5103TR	文件：428.71 Kbytes Page：6 Pages	Marking：DBPT6；Package：SOT-23；Generation VTechnology Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint LowProfile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRLML5103TR	文件：388.16 Kbytes Page：6 Pages	Marking：DBPT6；Package：SOT-23；MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint LowProfile(	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRLML5103TRPBF	文件：222.92 Kbytes Page：8 Pages	generation v technology	IRF International Rectifier	IRF
KTC5103D	文件：400.7 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT) LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGE LARGECURRENT FEATURES ?HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) ?ComplementarytoKTA1385D/L	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
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KTC5103L	文件：323.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
KTC5103L	文件：304.8 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
LML5103	文件：483.59 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
LML5103G	文件：495.43 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
LV5103LP	文件：124.02 Kbytes Page：11 Pages	Bi-CMOSLSICellPhonePowerSupplyIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO

詳細參數

型號：
IRLML5103TR
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	IRLML5103TR	IR	2019+	SOT23	36000	原盒原包裝可BOM配套	詢價
深圳市明盛嘉電子科技有限公司	IRLML5103TR	IR	21+	NULL	5000	原裝現貨/假一賠十/支持第三方檢驗	詢價
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深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	IRLML5103TR	IR	2410+	SOT-23	2950	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價
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深圳市昌和盛利電子有限公司	IRLML5103TR	IR	23+	Micro3/SOT-2	19526		詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRLML5103TR	IR	0019+	SOT-23	9000	原裝	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	IRLML5103TR	IR	2016+	SOT23	6000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價

更多IRLML5103TR供應商更新時間2025-2-11 16:04:00

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