IRLI640G中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLI640G規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
● Isolated Package
● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
● Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm
● Logic-Level Gate Drive
● RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V
● Fast Switching
● Ease of paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLI640G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原廠 |
13+ |
IC |
1 |
普通 |
詢價 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO220F |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO 220F |
160882 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
6950 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
Vishay |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190 |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
TO-220 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨,長期供應(yīng),終端可賬期 |
詢價 | |||
原裝正品 |
23+ |
TO-220F |
24608 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220F-3 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
