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IRLML0030TRPBF	文件：230.15 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET FeaturesandBenefits Features LowRDS(on)(≤27mΩ) Industry-standardpinout CompatiblewithexistingSurfaceMountTechniques RoHScompliantcontainingnolead,nobromideandnohalogen MSL1,Industrialqualification Benefits Lowerswitchinglosses Multi-ven	IRF International Rectifier	IRF
IRLML0030TRPBF	文件：197 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML0030TRPBF	文件：1.07174 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLML0030TRPBF	文件：282.42 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPower MOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
IRLML0030TRPBF-G	文件：2.12896 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Vos=30V,lo=58A Rosow	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
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KCA-C-0030J	文件：253.45 Kbytes Page：2 Pages	Keylockcylinderantenna	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默普萊默電子（蕪湖）有限公司	PREMO
KGEA-BA-C-0030J	文件：278.58 Kbytes Page：2 Pages	Keylessgoemitterbumperantenna	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默普萊默電子（蕪湖）有限公司	PREMO
KGEA-BFCR-C0030J	文件：329.6 Kbytes Page：2 Pages	Emitterantennahousingplasticbasewithresingandoutsideconnectorunsealed&sealed	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默普萊默電子（蕪湖）有限公司	PREMO

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詳細參數(shù)

型號：
IRLML0030TRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRLML0030TRPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-23 14:08:00

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