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IRLI620	文件：339.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620G	文件：339.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620G	文件：1.23242 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI620GPBF	文件：1.41579 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620GPBF	文件：1.23242 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI620A	文件：273.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLS620A	文件：255.21 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.8Ω ID=4.1A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLS620A	文件：264.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLW620A	文件：361.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLWI620A	文件：222.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IS620	文件：37.73 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDBILATERALSWITCHLIGHTACTIVATEDZEROVOLTAGECROSSINGTRIAC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
IW620	文件：277.65 Kbytes Page：4 Pages	QuickCharge2.0USBAdaptiveVoltagePositionController	Dialog Dialog Semiconductor	Dialog
JCS620CT-O-C-N-B	文件：1.92695 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS620FT-O-F-N-B	文件：1.92695 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS620RT-O-R-N-A	文件：1.92695 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS620RT-O-R-N-B	文件：1.92695 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS620T	文件：1.92695 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS620VT-O-V-N-B	文件：1.92695 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCT620	文件：214.55 Kbytes Page：1 Pages	SCRChip	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微電江蘇捷捷微電子股份有限公司	JIEJIE
KDP620UL	文件：341.99 Kbytes Page：1 Pages	ULP-12PACKAGE Forantennaswitchesinmobileapplications. FEATURES ?Arraytype(6Diodeinonepackage) ?LowCapacitance ?LowSeriesresistance	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLI620
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRLI620	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRLI620A	仙童	06+	TO-262	2500	原裝庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRLI620G	IR	23+	TO-220F	35890		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRLI620GPBF	VISHAY	23+	TO220	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRLI620G	IR	2015+	TO-220F	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRLI620G	IR	24+	TO-220FullPak(Iso)	8866		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRLI620G	IR	1816+	TO-220F	6523	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	IRLI620G	IR	18+	TO-220F	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRLI620GPBF	vishay	20+	na	65790	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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更多IRLI620供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 14:14:00

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