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IRG4PC30KPBF	文件：252.19 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30KPBF	文件：261.149 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 28A TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4PC30KPBF_15	文件：261.149 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30S	文件：120.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) StandardSpeedIGBT Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30SPBF	文件：250.67 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30SPBF	文件：249.71 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30U	文件：145.77 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) UltraFastSpeedIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits ?	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UD	文件：302.2 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·AvalancheCapability ·InternationalStandardPackage APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries ·WeldingMachines	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRG4PC30UD	文件：211 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UDPBF	文件：381.67 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UDPBF	文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：273.62 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT UltraFastSpeedIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Genera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30W	文件：123.28 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：255.35 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：254.39 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IRG4PC30KPBF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，16A
開關(guān)能量：
360μJ（開），510μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
26ns/130ns
測試條件：
480V，16A，23 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 28A TO247AC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市達恩科技有限公司	IRG4PC30KPBF	Infineon	18+	NA	3192	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRG4PC30KPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRG4PC30KPBF	VISHAY	2018+	TO-247	12000	VISHAY專營進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
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深圳市科雨電子有限公司	IRG4PC30KPBF	INFINEON	1809+	TO-247	1675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	IRG4PC30KPBF	IR	22+	TO-247	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRG4PC30KPBF	IR	23+	TO-247AC	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IRG4PC30KPBF	Infineon	22+	NA	493	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRG4PC30KPBF	IR	21+	TO-247AC	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價

更多IRG4PC30KPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-24 14:16:00

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