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IRG4PH50KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH50KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH50KDPBF

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PH50KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PH50KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH50KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneratio

IRF

International Rectifier

IRG4PH50S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=1.47V,@Vge=15V,Ic=33A)

IRF

International Rectifier

IRG4PH50S-EPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH50S-EPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH50SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PH50KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,24A

  • 開關(guān)能量:

    3.83mJ(開),1.9mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    87ns/140ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,24A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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International Rectifier
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全新原裝 貨期兩周
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TO-247(AC)
6000
原裝現(xiàn)貨正品
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更多IRG4PH50KDPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 23:00:00