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IRG7PH30K10DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?10μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient ?UltrafastsoftRecoveryCo-PakDiode ?Tightparameterdistribution ?LeadFreePackage Benefit

IRF

International Rectifier

IRG7PH30K10DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG7PH30K10DPBF

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 30A 180W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PH30K10DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG7PH30K10PBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG7PH30K10PBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?LowSwitchingLosses ?MaximumJunctionTemperature175°C ?10μSshortCircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedforILM ?PositiveVCE(ON)TemperatureCo-Efficient ?TightParameterDistribution ?LeadFreePackage Benefits

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PH30K10DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    530μJ(開),380μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    14ns/110ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,9A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 180W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-247
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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VISHAY專營(yíng)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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Infineon
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