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IRG4PC30U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

UltraFastSpeedIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits ?

IRF

International Rectifier

IRG4PC30U

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4PC30U

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC30UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UD

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·AvalancheCapability ·InternationalStandardPackage APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries ·WeldingMachines

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRG4PC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

UltraFastSpeedIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Genera

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC30UDPBF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC30UPBF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC30U

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    160μJ（開），200μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    17ns/78ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W TO247AC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
TO-247
65400
詢價
IR
24+
TO3P
85900
詢價
IR
23+
TO-247
19526
詢價
IR
2015+
TO-247
19889
一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣!
 詢價
IR
06+
TO-247
500
全新原裝 絕對有貨
 詢價
IR
24+
原廠封裝
281
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
23+
TO-247
9980
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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IR
2020+
TO-247
46
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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IR
1816+
TO-247
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
更多IRG4PC30U供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 16:55:00

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