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IRG7PH28UD1PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE

Features ●LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ●Lowswitchinglosses ●SquareRBSOA ●Ultra-lowVFdiode ●1300Vpkrepetitivetransientcapacity ●100ofthepartstestedforILM? ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Tightparameterdistribution ●Lead-freepackage Benefits ●

IRF

International Rectifier

IRG7PH28UD1PBF

Low switching losses

IRF

International Rectifier

IRG7PH28UD1PBF

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 30A 115W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PH28UD1PBF_15

Low switching losses

IRF

International Rectifier

IRG7PH28UD1MPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE

Features ●LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ●Lowswitchinglosses ●SquareRBSOA ●Ultra-lowVFdiode ●1300Vpkrepetitivetransientcapacity ●100ofthepartstestedforILM? ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Tightparameterdistribution ●Lead-freepackage Benefits ●

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PH28UD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    543μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/229ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,15A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 115W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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Infineon Technologies
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原裝正品,支持實(shí)單
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IRG7PH28UD1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 10:18:00