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IRG4RC20FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. ?IndustrystandardTO-252AApackage. ?Combinessverylo

IRF

International Rectifier

IRG4RC20FPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 22A 66W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC20F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.82V,@Vge=15V,Ic=12A)

FastSpeedIGBT Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Co

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4RC20FPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 開關能量:

    190μJ(開),920μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    26ns/194ns

  • 測試條件:

    480V,12A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 22A 66W DPAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRG4RC20FPBF供應商 更新時間2025-2-14 22:30:00