IRG4RC20F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
![IRG4RC20F](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
IRG4RC20F |
參數(shù)屬性 | IRG4RC20F 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 22A 66W DPAK |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
264.06 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-15 10:51:00 |
IRG4RC20F規(guī)格書詳情
Fast Speed IGBT
Features
? Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs.
? Industry standard TO-252AA package
? Combines very low VCE(on) with low switching losses
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency
? Optimized for specific application conditions
? High power density and current rating
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4RC20F
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,12A
- 開關(guān)能量:
190μJ(開),920μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
26ns/194ns
- 測試條件:
480V,12A,50 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 22A 66W DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2018+ |
TO252 |
6528 |
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詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
26 |
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IR |
22+23+ |
TO252 |
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Infineon Technologies |
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DPak |
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DPak |
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IR |
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IR |
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DPAK |
36900 |
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詢價(jià) |