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IRG4BH20K-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-LPBF

Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 11A 60W TO262

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BH20K-LPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-L

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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International Rectifier

IRG4BH20K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-S

TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRG4BH20K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BH20K-LPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4.3V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    450μJ（開），440μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    23ns/93ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，5A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT 1200V 11A 60W TO262

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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TO262
43000
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 詢價(jià)
更多IRG4BH20K-LPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 14:15:00

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