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IRG4BC20UD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera

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International Rectifier

IRG4BC20UD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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IRG4BC20UD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterpara- meterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

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IRG4BC20UD-SPBF

ULTRA FAST COPACK IGBT

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IRG4BC20UD-SPBF_15

ULTRA FAST COPACK IGBT

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IRG4BC20UPBF

ULTRAFASTSPEEDIGBT

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IRG4BC20UPBF

UltraFastSpeedIGBT

Features ?UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generati

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IRG4BC20W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

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IRG4BC20WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesignandc

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IRG4BC20WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRG4BC20UD-S

  • 功能描述：

    IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2024+
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柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
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全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
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原裝現(xiàn)貨庫(kù)存
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更多IRG4BC20UD-S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 9:00:00

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