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IRG4BC20UD-SPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRG4BC20UD-SPBF
廠商型號(hào)

IRG4BC20UD-SPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

301.01 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 12:00:00

IRG4BC20UD-SPBF規(guī)格書詳情

Features

? UltraFast: Optimized for high operating frequencies

8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant

mode

? Generation 4 IGBT design provides tighter para-

meter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard D2Pak package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies

available

? Optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for

equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG4BC20UD-SPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
490
詢價(jià)
IR
23+
NA/
6435
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
D2PAK
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
493
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詢價(jià)
IR
23+24
TO-263
59630
主營原裝MOS,二三級(jí)管,肖特基,功率場效應(yīng)管
詢價(jià)
IR
21+
TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
Infineon
22+
NA
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