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IRF640NLPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NLPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NLPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF640NPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRF640NS	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRF640NS	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NSPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
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IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NSPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NSRPBF	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NSTRLPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640PBF	文件：1.70972 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRF640NLHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF640NLPBF	IR	2016+	TO-262	6528	只做進口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!	詢價
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齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF640NLPBF	IR	23+	TO-262	20000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市達恩科技有限公司	IRF640NLPBF	Infineon	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF640NLPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
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綠盛電子(香港)有限公司	IRF640NLPBF	IR	2018+	TO-262	26976	代理原裝現(xiàn)貨/特價熱賣!	詢價
深圳兆威電子有限公司	IRF640NLPBF	IR	20+	TO-262-3	90000	全新原裝正品/庫存充足	詢價
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更多IRF640NLHR供應商更新時間2024-10-24 16:30:00

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