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IRF6608	文件：187.04 Kbytes Page：9 Pages	Application Specific MOSFETs Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6608TR1	文件：187.04 Kbytes Page：9 Pages	Application Specific MOSFETs Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
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ISL6608	文件：333.71 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedMOSFETDriverwithPre-BiasedLoadStartupCapability TheISL6608isahighfrequency,MOSFETdriveroptimized todrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdrivercombinedwith anIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWM controllerformsacompletesingle-stagecore-voltage regulatorsolutio	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF6608
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRF6608供應(yīng)商更新時間2025-1-13 16:30:00

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