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IRF6619	文件：292.78 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET Description TheIRF6619combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
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IRF66191PBF	文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages	Low Profile (0.7 mm)	IRF International Rectifier	IRF
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LMH6619MA	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise?130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
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LMH6619MAE	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise?130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6619MAE/NOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6619MAENOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	LMH6618Single/LMH6619Dual130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6619MANOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	LMH6618Single/LMH6619Dual130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6619MAX	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise?130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6619MAX/NOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
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LMH6619QMAK/NOPB	文件：1.21032 Mbytes Page：30 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1

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詳細參數(shù)

型號：
IRF6619
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRF6619供應(yīng)商更新時間2024-10-24 14:30:00

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