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IRF6626	文件：632.98 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET TM Power MOSFET Description TheIRF6626combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6626	文件：641.93 Kbytes Page：10 Pages	RoHS compliant containing no lead or bromide Description TheIRF6626combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6626PBF	文件：289.61 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description TheIRF6626PbFcombinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6626TR1	文件：641.93 Kbytes Page：10 Pages	RoHS compliant containing no lead or bromide Description TheIRF6626combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6626TR1PBF	文件：289.61 Kbytes Page：10 Pages	RoHs Compliant Description TheIRF6626PbFcombinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRF International Rectifier	IRF
LMH6626	文件：1.89424 Mbytes Page：38 Pages	LMH6624andLMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMH6626	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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LMH6626MA	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6626MA	文件：1.60863 Mbytes Page：31 Pages	LMH6624/LMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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LMH6626MAX	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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LMH6626MMX	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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詳細參數(shù)

型號：
IRF6626
功能描述：
MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRF6626供應(yīng)商更新時間2024-12-26 16:30:00

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