首頁 >IRF6629TRPBF>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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IRF6629TRPBF | DirectFET Power MOSFET | IRF International Rectifier | IRF | |
IRF6629TRPBF | Ideal for CPU Core DC-DC Converters | IRF International Rectifier | IRF | |
Ultra-LowNoise,High-SpeedOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司 | NSC | ||
Ultra-LowNoise,High-SpeedOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司 | NSC | ||
Ultra-LowNoise,HighSpeedOperationalAmplifier | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司 | NSC | ||
Ultra-LowNoise,High-SpeedOperationalAmplifierwithShutdown | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
Ultra-LowNoise,High-SpeedOperationalAmplifierwithShutdown | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
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Ultra-LowNoise,High-SpeedOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司 | NSC | ||
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Ultra-LowNoise,High-SpeedOperationalAmplifierwithShutdown | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司 | NSC |
詳細參數(shù)
- 型號:
IRF6629TRPBF
- 功能描述:
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 34nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/IR |
14+/15+ |
DirectFET MX |
9600 |
詢價 | |||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
9600 |
20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | ||
INFINEON/IR |
14+/15+ |
9600 |
DirectFET MX |
詢價 | |||
IR |
24+ |
QFN |
9495 |
原廠授權代理 價格絕對優(yōu)勢 |
詢價 | ||
INFINEON/IR |
23+ |
DirectFET MX |
9600 |
原裝現(xiàn)貨支持送檢 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
QFN |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
QFN |
8890 |
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
18+ |
QFN |
85600 |
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 |
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