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IRF6609TR1

LowConductionLosses

Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF6609TR1PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
17+
DIRECTFET
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR
24+
DirectFETtradeIso
7500
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IR
23+
SOT223
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IRF
2020+
SOP-8
2130
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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IOR
24+
DIRECTFET
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Infineon Technologies
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1923+
DIRECTFET
5000
正品原裝品質(zhì)假一賠十
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更多IRF6609TR1PBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 16:00:00

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