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IRF333中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF333
廠商型號(hào)

IRF333

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V

文件大小

848.7 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-30 22:26:00

IRF333規(guī)格書詳情

Description

These devices are n-channol, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.

? VQS Rated at ±20 V

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds

? IDSS, VDS(on), SOA and VGS(th) Specified at Elevated

Temperature

? Rugged

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF333

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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