首頁(yè)>IRF3315SPBF>規(guī)格書(shū)詳情

IRF3315SPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF3315SPBF
廠商型號(hào)

IRF3315SPBF
功能描述

HEXFET Power MOSFET
文件大小

386.58 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-3 23:00:00

IRF3315SPBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRF3315S)

? Low-profile through-hole (IRF3315L)

? 175°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF3315SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
3746
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
 詢價(jià)
IR
24+
TO263
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
11+
TO-263
10
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
501274
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
22+23+
TO-263
15270
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
22+
D2-pak
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
IR
24+
D2-PAK
2350
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
IR
24+
TO-263
228
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
D2PAK
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
IR
24+
65230
詢價(jià)

相關(guān)庫(kù)存

更多