IRF3315L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3315L規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRF3315S)
● Low-profile through-hole (IRF3315L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF3315L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
14 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!? |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
2021+ |
TO-262 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-262 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) |
