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IRF331中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF331
廠商型號

IRF331

參數(shù)屬性

IRF331 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

208.64 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-10-28 22:58:00

IRF331規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low RDS(on)

● Improved inductive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low Input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

● TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRF3314STRR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 描述:

    MOSFET N-CH 150V D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
2016+
TO220
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價
KOREA
2020+
金封TO-3P
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價
ON/安森美
22+
TO-3P
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
IR
專業(yè)鐵帽
TO-3
67500
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票
詢價
IRF
2003
64
原裝正品長期供貨,如假包賠包換 徐小姐13714450367
詢價
A/N
1715+
SOP
251156
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十!
詢價
HARRIS(哈利斯)
23+
TO3
6000
誠信服務(wù),絕對原裝原盤
詢價
IR
2020+
TO263
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
詢價
IR
23+
TO-263
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
詢價
IR
2021+
N/A
6800
只有原裝正品
詢價