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IRF3315S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF3315S
廠商型號

IRF3315S
功能描述

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
文件大小

197.25 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-17 17:47:00

IRF3315S規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRF3315S)

● Low-profile through-hole (IRF3315L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF3315S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
22+
TO-263
9000
原裝正品
 詢價
IR
23+
TO263
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IR
23+
TO-262
10000
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
Infineon/英飛凌
23+
D2PAK
25000
原裝正品,假一賠十!
 詢價
IR
23+
TO-263
6850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!
 詢價
IR
22+
D2-PAK
9450
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
23+
NA/
23250
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
IR
20+
D2-Pak
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
IR
23+
D2PACK
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR
21+
TO-263
5587
原裝現(xiàn)貨庫存
 詢價

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