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IRF3315LPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
KSM3315	文件：667.13 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LANE3315NDH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LANE3315NH	文件：381.17 Kbytes Page：6 Pages	1WattOutputPower	WALL Wall Industries Inc	WALL
LP3315	文件：424.14 Kbytes Page：8 Pages	1.2MHzFixed-FrequencyPWMOperation	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司	POWER
LTC3315A	文件：1.4995 Mbytes Page：16 Pages	1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.74276 Mbytes Page：28 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcher2in3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.61766 Mbytes Page：28 Pages	5V,Dual6A/Dual-Phase12AStep-DownDC/DCRegulator	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：2.79594 Mbytes Page：26 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.78044 Mbytes Page：22 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.9564 Mbytes Page：24 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：3.15591 Mbytes Page：26 Pages	5V,3ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin2mmx2mmLQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC3315A	文件：1.78442 Mbytes Page：28 Pages	5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher?Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF3315LPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF3315LPBF	IR	24+	TO-262-3	66		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF3315LPbF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRF3315LPBF	IR	23+	TO-262-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRF3315LPBF	INFINEON	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	IRF3315LPBF	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
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深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRF3315LPBF	Infineon Technologies	2022+	TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多IRF3315LPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 16:30:00

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