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KSM3315

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

LANE3315NDH

1WattOutputPower

WALL

Wall Industries Inc

LANE3315NH

1WattOutputPower

WALL

Wall Industries Inc

LP3315

1.2MHzFixed-FrequencyPWMOperation

POWERLowpower Semiconductor inc

微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司

LTC3315A

1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP

FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcher2in3mmx3mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

5V,Dual6A/Dual-Phase12AStep-DownDC/DCRegulator

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF3315STRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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更多IRF3315STRL供應(yīng)商 更新時間2025-3-11 14:30:00

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