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IRF3415S	文件：156.56 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3415S	文件：167.38 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3415S	文件：188.54 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF3415SPBF	文件：1.07107 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3415STRLPBF	文件：167.38 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3415STRR	文件：167.38 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3415SPBF_15	文件：1.07203 Mbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3415	文件：333.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FullyAvalancheRated ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤42m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP3415	文件：92.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.042ohm,Id=43A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3415PBF	文件：166.25 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3415PBF	文件：167.21 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
JMTL3415K	文件：193.012 Kbytes Page：4 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTL3415KAEC	文件：939.122 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMTL3415KC	文件：625.031 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KI3415PDFN	文件：430.87 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KO3415	文件：170.66 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
KO3415A	文件：462.83 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-5A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KSD3415MA	文件：536.29 Kbytes Page：2 Pages	Dedicated-Recycle Description TheKSD3SeriesDigi-Timerisacosteffectiveapproachfor ON/OFFrecyclingapplications.Theontimeisequaltothe offtime.AnadjustmentoftheRTwillchangethetimedelays ofbothonandofftimes.Thisseriesisdesignedforgeneral purposecommercialandindustrialappl	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
KSM3415	文件：643.32 Kbytes Page：5 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LCE3415	文件：710.05 Kbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

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詳細參數(shù)

型號：
IRF3415S
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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