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BDT60A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDT60,BDT60A,BDT60BandBDT60C ?50Wat25°CCaseTemperature ?4AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at1.5V,3A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDT60A

Complement to Type BDT61/A/B/C

DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60;-80V(Min)-BDT60A; -100V(Min)-BDT60B;-120V(Min)-BDT60C ·ComplementtoTypeBDT61/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforuseinaudi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT60A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDT61,BDT61A,BDT61BandBDT61C ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at1.5V,3A

POINN

Power Innovations Ltd

BDT60A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDT61,BDT61A,BDT61BandBDT61C ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at1.5V,3A

TRSYS

Transys Electronics

BDT60A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDT60AF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60F;-80V(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ·ComplementtoTypeBDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT60AF

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min)-BDT60F;-SOV(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ?ComplementtoTypeBDT61F/

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BDT60A

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    >10MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD718,BDW24B,BDW54B,BDW64B,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號：

    B-89

  • vtest：

    80

  • htest：

    10000100

  • atest：

    4

  • wtest：

    50

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BDT60A

  • 功能描述：

    達(dá)林頓晶體管 50W 4A PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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