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BDV66 | POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W) 16AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS125WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
BDV66 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-16A ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-10A ?ComplementtoTypeBDV67/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BDV66 | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV67-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BDV66 | Silicon PNP Darlington Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W) 16AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS125WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-16A ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-10A ?ComplementtoTypeBDV67/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV67-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-16A ?Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-10A ?ComplementtoTypeBDV67/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV67-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
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Silicon PNP Darlington Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
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晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
16A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDW84A,2SB1079,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-62
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
16
- wtest：
200
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BDV66
- 制造商：
ISC
- 制造商全稱：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST/PH |
1738+ |
TO-3P |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
N/A |
23+ |
SMD |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-3P |
16900 |
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持! |
詢價(jià) | ||
CHINA進(jìn)口芯片 |
2023+ |
TO-3PN |
8700 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
8744 |
50 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
PHI |
23+ |
原廠原裝 |
11000 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-218 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) |
