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BDT60CF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT60F;-80V(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ·ComplementtoTypeBDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT60CF

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=750(Min)@IC=-1.5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min)-BDT60F;-SOV(Min)-BDT60AF -100V(Min)-BDT60BF;-120V(Min)-BDT60CF ?ComplementtoTypeBDT61F/

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BDT60CF

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD652F,2SB1193,2SB1340,

  • 最大耗散功率：

    17W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號：

    B-89

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    17

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BDT60CF供應(yīng)商 更新時間2025-2-21 16:00:00

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