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NTH4L030N120M3S中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L030N120M3S
廠商型號

NTH4L030N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

絲印標識

H4L030120M3S

封裝外殼

TO-247-4L

文件大小

359.47 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-20 23:00:00

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NTH4L030N120M3S規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? UPS (Uninterruptible Power Supplies)

? Energy Storage Systems

? SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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