NTH4L015N065SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTH4L015N065SC1_V01
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
文件大小	357.1 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-7-27 17:22:00
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Features

? Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Power Supplies)

? Energy Storages

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