NTH4L028N170M1中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTH4L028N170M1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm
絲印標識	H4L028N170M1
封裝外殼	TO247-4L
文件大小	253.15 Kbytes
頁面數(shù)量	8 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導體】
中文名稱	安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-17 16:12:00
人工找貨	NTH4L028N170M1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

? Typ. RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 200 pF)

? 100 Avalanche Tested

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? UPS

? DC/DC Converter

? Boost Converter

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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