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NGTB30N135IHR1WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 PULSECORE/安森美

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  • 廠家型號(hào)：

    NGTB30N135IHR1WG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    56000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-7 15:44:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NGTB30N135IHR1WG品牌：ON

公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持

  • 芯片型號(hào)：

    NGTB30N135IHR1WG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    137.29 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Monolithic Free Wheeling Diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB30N135IHR1WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    630μA（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/200ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1350V 30A TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱樺

  • 手機(jī)：

    13510673492

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13510673492

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518

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