NGTB30N120IHRWG 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NGTB30N120IHRWG
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
onsemi
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
TO-247-3
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-17 14:08:00

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原廠料號：NGTB30N120IHRWG品牌：onsemi

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NGTB30N120IHRWG是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB30N120IHRWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號：
NGTB30N120IHRWG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
10 頁
文件大小：
182.02 kb
資料說明：
IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NGTB30N120IHRWG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
散裝
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，30A
開關(guān)能量：
700μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
-/230ns
測試條件：
600V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
描述：
IGBT 1200V 60A 384W TO247

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

NGTB30N120IHRWG 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGTB30N120IHRWG

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供應(yīng)商

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