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NGTB30N120IHRWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB30N120IHRWG
廠商型號(hào)

NGTB30N120IHRWG
參數(shù)屬性

NGTB30N120IHRWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 60A 384W TO247
功能描述

IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode
IGBT 1200V 60A 384W TO247
文件大小

182.02 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-7 20:00:00

NGTB30N120IHRWG規(guī)格書詳情

NGTB30N120IHRWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N120IHRWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB30N120IHRWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/230ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 60A 384W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
NA/
3280
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
 詢價(jià)
PTIF
P
9999999999
2
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
ON
23+
TO-247
30
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON
TO-247
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
ON Semiconductor
22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ON(安森美)
23+
N/A
589610
新到現(xiàn)貨 原廠一手貨源 價(jià)格秒殺代理!
 詢價(jià)
PTIF
2310+
SOP/DIP
3699
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
 詢價(jià)
ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
 詢價(jià)

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