NGTB25N120FL2W 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:NGTB25N120FL2W品牌:ON/安森美

當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨

NGTB25N120FL2W是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的NGTB25N120FL2W晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    NGTB25N120FL2WAG

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    159.06 kb

  • 資料說明:

    IGBT - Field Stop II / 4 Lead

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB25N120FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    1.95mJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    87ns/179ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市晨豪科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    羅先生/嚴(yán)小姐/葉先生/鄒先生

  • 手機(jī):

    13923798387

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-82732291 /0755-85274662

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)中航路新亞洲電子商城一期2A103