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NGTB30N120LWG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 PULSECORE/安森美

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  • 廠家型號(hào)：

    NGTB30N120LWG

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    9000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-7 17:05:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NGTB30N120LWG品牌：ON Semiconductor

原廠渠道,現(xiàn)貨配單

  • 芯片型號(hào)：

    NGTB30N120LWG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    177.65 kb

  • 資料說明：

    IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB30N120LWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    4.4mJ（開），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    136ns/360ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市河鋒鑫科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊佳河

  • 手機(jī)：

    13652326683

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13652326683

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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