NGTB30N120LWG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NGTB30N120LWG品牌:onsemi

資料說(shuō)明:IGBT 1200V 30A TO247

NGTB30N120LWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB30N120LWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    ngtb30n120lwg

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 1200V 30A TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB30N120LWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    4.4mJ(開(kāi)),1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    136ns/360ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ONSemiconductor
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NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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ON Semiconductor
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TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ON Semiconductor
23+
TO247
9000
原裝正品,支持實(shí)單
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ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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ON Semiconductor
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TO247
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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onsemi
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TO-247-3
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
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TO-247
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只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級(jí)代理
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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