IRGP4266D-EPBF_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

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原廠料號(hào):IRGP4266D-EPBF品牌:Infineon Technologies

資料說(shuō)明:IGBT 650V 140A 455W TO247AD

IRGP4266D-EPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-247-3的IRGP4266D-EPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    irgp4266d-epbf

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 650V 140A 455W TO247AD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGP4266D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.5mJ(開(kāi)),2.2mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    50ns/200ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 650V 140A 455W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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