NGTB30N60FWG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NGTB30N60FWG品牌:onsemi

資料說(shuō)明:IGBT 600V 60A 167W TO247

NGTB30N60FWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB30N60FWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    ngtb30n60fwg

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 600V 60A 167W TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB30N60FWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    650μJ(開(kāi)),650μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    81ns/190ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 167W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢(xún)價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
23+
TO247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢(xún)價(jià)
ON Semiconductor
22+
TO247
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
23+
27822
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢(xún)價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON Semiconductor
23+
TO247
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-247
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
詢(xún)價(jià)
PTIF
P
SCP0000001
30
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
23+
NA/
990
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)