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NGD8205AN

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8205AN

Integrated ESD Diode Protection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGD8205ANT4G

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGD8205ANT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 390V 20A DPAK

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

NGD8205N

IgnitionIGBT20Amp,350Volt,N??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

OKY8205

DISCOMETáLICOPARASERVOMOTORMG995MG996RPARABRAZOROBóTICO

Descripción: DiscometálicoparaservomotorMG995MG996Rparabrazorobótico.

AGELECTRONICA

AG Electronica

OPA8205PPS

InfraredPin-PointLEDChip

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

P8205

SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8205

smtCurrentSenseTransformers

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8205NL

SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS

pulse

Pulse A Technitrol Company

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NGD8205AN

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

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更多NGD8205AN供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 22:58:00