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NGTB40N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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IGBT - Field Stop II

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IGBT - Field Stop II

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NGTB40N65FL2WG

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247

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NGTB40N65FL2WG_V01

IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

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NGTB40N65FL2WG_16

IGBT - Field Stop II

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB40N65FL2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    970μJ（開），440μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    84ns/177ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
onsemi
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ONSEMI/安森美
2410+
80000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
ON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
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ON
2020+
TO-247
60
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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ONSemiconductor
18+
NA
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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三年內(nèi)
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ON/安森美
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更多NGTB40N65FL2WG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 8:12:00

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