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首頁(yè)>NAND512W3A2BN6>芯片詳情
NAND512W3A2BN6 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NAND512W3A2BN6品牌:ST/意法
ST/意法全新特價(jià)NAND512W3A2BN6即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
NAND512W3A2BN6是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TSSOP-48/48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)的NAND512W3A2BN6存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
- 芯片型號(hào):
NAND512W3A2BN6
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱:
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情
- 廠商全稱:
STMicroelectronics
- 中文名稱:
意法半導(dǎo)體集團(tuán)
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
57 頁(yè)
- 文件大小:
916.59 kb
- 資料說(shuō)明:
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NAND512W3A2BN6F
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
50ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
供應(yīng)商
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