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NAND02GW3B2DZA6 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NAND02GW3B2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量:
2Gb(256M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
25ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
熊小姐★★原廠授權(quán)一級(jí)分銷★★
- 詢價(jià):
- 電話:
13424293273
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海大廈C棟706
相近型號(hào)
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- NANO100KD3BN
- NA12W-K
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- NA05QSA035-TE12L
- NANO100LD3BN
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- NANO100LE3BN
- NA05HSA08-TE12L
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