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NAND512W3A2BN6

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

NAND512W3A2BN6E

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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NAND512W3A2BN6F

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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NAND512W3A2BN6T

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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NAND512W3A2BN6E

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

STSTMicroelectronics

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NAND512W3A2BN6F

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512W3A2BN6E

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP

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NAND512W3A2BN6F

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP

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技術(shù)參數(shù)

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    512Mb （64M x 8）

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    50ns

  • 訪問時(shí)間：

    50ns

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 電源：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724\，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多NAND512W3A2BN6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00

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