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NAND01GW3B2BZA6E集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NAND01GW3B2BZA6E
廠商型號(hào)

NAND01GW3B2BZA6E
參數(shù)屬性

NAND01GW3B2BZA6E 封裝/外殼為63-TFBGA；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
功能描述

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
封裝外殼

63-TFBGA
文件大小

1.34162 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

60 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 numonyx
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NUMONYX

中文名稱

numonyx官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-6-2 11:12:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NAND01GW3B2BZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    30ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
1948+
BGA
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
MICRON
24+
BGA
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢價(jià)
MICRON/美光
23+
BGA
3000
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、
 詢價(jià)
MICRON
19+
BGA
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
MICRON/美光
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
ST
20+
BGA
123
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
ST
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
MICRON
1140+
BGA
13486
只做原廠原裝,認(rèn)準(zhǔn)寶芯創(chuàng)配單專家
 詢價(jià)
Micron
22+
63VFBGA (9x11)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ST
24+
BGA63
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)

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